"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Коэффициент оптического поглощения в монокристаллах PbGa2Se4
Тагиев Б.Г.1, Мусаева Н.Н.1, Джаббаров Р.Б.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 7 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Представлены результаты оптических измерений в монокристалле PbGa2Se4. Определен характер оптических переходов в интервале энергии фотонов 2.24/2.46 эВ в области температур 77/300 K. Показано, что в интервале энергии фотонов 2.28/2.35 эВ и 2.35/2.46 эВ имеют место непрямые и прямые оптические переходы, которым соответствуют Egi=2.228 эВ и Egd=2.35 эВ при 300 K. Температурные коэффициенты Egi и Egd соответственно равны -0.6·10-4 и -4.75·10-4 эВ/K.
  1. R. Eholie, I.K. Kom, J. Flahaut. C.R. Acad. Sci. Paris. Ser. C, 268, 700 (1969)
  2. R. Eholie, O. Gorochov, M. Guittard, A. Mazurier, J. Flahaut. Bull. Soc. Chim. Fr., 747 (1971)
  3. C. Jullien, M. Eddrief, K. Kambas, M. Balkanski. Thin. Sol. Films. 137, 27 (1986)
  4. E. Cuerrero, M. Quintero, J.C. Wolley, J. Phys.: Condens, Matter., 2, 6119 (1990)
  5. A.M. Elkorashy. Phys. St. Sol. (b), 135, 707 (1986)
  6. S. Saha, U. Pal et al. Phys. St. Sol. (a), 114, 721 (1989)
  7. Н.С. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.