Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Коэффициент оптического поглощения в монокристаллах PbGa₂Se₄

Тагиев Б.Г.¹, Мусаева Н.Н.¹, Джаббаров Р.Б.¹

¹Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 7 октября 1997 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты оптических измерений в монокристалле PbGa₂Se₄. Определен характер оптических переходов в интервале энергии фотонов 2.24/2.46 эВ в области температур 77/300 K. Показано, что в интервале энергии фотонов 2.28/2.35 эВ и 2.35/2.46 эВ имеют место непрямые и прямые оптические переходы, которым соответствуют E_gi=2.228 эВ и E_gd=2.35 эВ при 300 K. Температурные коэффициенты E_gi и E_gd соответственно равны -0.6·10^-4 и -4.75·10^-4 эВ/K.

R. Eholie, I.K. Kom, J. Flahaut. C.R. Acad. Sci. Paris. Ser. C, 268, 700 (1969)
R. Eholie, O. Gorochov, M. Guittard, A. Mazurier, J. Flahaut. Bull. Soc. Chim. Fr., 747 (1971)
C. Jullien, M. Eddrief, K. Kambas, M. Balkanski. Thin. Sol. Films. 137, 27 (1986)
E. Cuerrero, M. Quintero, J.C. Wolley, J. Phys.: Condens, Matter., 2, 6119 (1990)
A.M. Elkorashy. Phys. St. Sol. (b), 135, 707 (1986)
S. Saha, U. Pal et al. Phys. St. Sol. (a), 114, 721 (1989)
Н.С. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель