Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Коэффициент оптического поглощения в монокристаллах PbGa2Se4
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 7 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.
Представлены результаты оптических измерений в монокристалле PbGa2Se4. Определен характер оптических переходов в интервале энергии фотонов 2.24/2.46 эВ в области температур 77/300 K. Показано, что в интервале энергии фотонов 2.28/2.35 эВ и 2.35/2.46 эВ имеют место непрямые и прямые оптические переходы, которым соответствуют Egi=2.228 эВ и Egd=2.35 эВ при 300 K. Температурные коэффициенты Egi и Egd соответственно равны -0.6·10-4 и -4.75·10-4 эВ/K.
- R. Eholie, I.K. Kom, J. Flahaut. C.R. Acad. Sci. Paris. Ser. C, 268, 700 (1969)
- R. Eholie, O. Gorochov, M. Guittard, A. Mazurier, J. Flahaut. Bull. Soc. Chim. Fr., 747 (1971)
- C. Jullien, M. Eddrief, K. Kambas, M. Balkanski. Thin. Sol. Films. 137, 27 (1986)
- E. Cuerrero, M. Quintero, J.C. Wolley, J. Phys.: Condens, Matter., 2, 6119 (1990)
- A.M. Elkorashy. Phys. St. Sol. (b), 135, 707 (1986)
- S. Saha, U. Pal et al. Phys. St. Sol. (a), 114, 721 (1989)
- Н.С. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
