Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Арсенид индия p-типа --- квазибесщелевой полупроводник

Даунов М.И.¹, Камилов И.К.¹, Магомедов А.Б.¹, Киракосян А.Ш.¹

¹Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Поступила в редакцию: 5 мая 1998 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

PDF версия

При всестороннем давлении до значений P=1.5 Па и температурах T=77.6 и 300 K по данным о полевых (до H=12 кЭ и E=25 В/см) зависимостях коэффициента Холла R и удельном сопротивлении rho в сильно легированном компенсированном полупроводнике p-InAs с концентрацией избыточных акцепторов N_ext=(N_A-N_D)~= 10¹⁶ см^-3 и N_A/N_D~=0.9 рассчитаны характеристические параметры носителей заряда. Выяснено, что на хвосте плотности состояний зоны проводимости располагается глубокая акцепторная зона и при низких температурах реализуется состояние типа сильно легированного полностью компенсированного полупроводника.

М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. ФТП, 25, 467 (1991)
М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. УФЖ, 37, 103 (1992)
М.И. Даунов, К.М. Алиев, В.И. Данилов. УФЖ, 38, 1811 (1993)
И.К. Камилов, М.И. Даунов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов. ЖЭТФ, 104, 2436 (1993)
М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов. ЖЭТФ, 111, 562 (1997)
М.И. Даунов, И.К. Камилов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. Докл. РАН, 357, 612 (1997); Тез. докл III Всеросс. конф. по физике полупроводников, 227 (1997)
I.M. Tsidilkovski, G.I. Harus, N.G. Shelushinina. Adv. Phys., 34, 43 (1985)
В.В. Воронков, Е.В. Соловьева, М.И. Иглицин, М.Н. Пивоваров. ФТП, 2, 1800 (1968)
О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
В.В. Попов, М.Л. Шубников, С.С. Шалыт, В.В. Косарев. ФТП, 11, 1914 (1977)
В.В. Косарев, Р.Р. Парфеньев, В.В. Попов, С.С. Шалыт. ФТТ, 18, 489 (1976)
А. Плиткас, А. Крокус, Л.А. Балагуров, Э.М. Омельяновский. ФТП, 14, 2123 (1980)
С.Г. Гасанзаде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 31, 35 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель