При различных температурах измерены спектры возбуждения и наведенная поляризация полосы фотолюминесценции с максимумом вблизи энергии фотонов 1.18 эВ в n-GaAs, легированном Sn или Si с концентрацией электронов ~10¹⁸ см^-3. Показано, что температурная зависимость наведенной поляризации этой фотолюминесценции, связанной с комплексами V_GaSn_Ga или V_GaSi_Ga, в области температур 77-230 K близка к соответствующей зависимости для комплексов V_GaTe_As. Вместе с тем обнаружено слабое падение наведенной поляризации с ростом температуры в диапазоне 77-125 K, отсутствующее для комплексов V_GaTe_As. Предполагается, что это отличие вызвано существованием в поглощающем и излучающем состояниях комплексов V_GaSn_Ga и V_GaSi_Ga возбужденных конфигураций, заселенность которых в поглощающем состоянии увеличивается с температурой. Различие в полной энергии возбужденной и основной конфигураций поглощающего состояния составляет 10-20 мэВ для комплексов V_GaSn_Ga и 15-30 мэВ для комплексов V_GaSi_Ga.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.