Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности температурной зависимости поляризации фотолюминесценции комплексов вакансия Ga--Sn_Ga(Si_Ga) в GaAs при резонансном поляризованном возбуждении

Гуткин А.А.¹, Рещиков М.А.¹, Седов В.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 июня 1998 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

При различных температурах измерены спектры возбуждения и наведенная поляризация полосы фотолюминесценции с максимумом вблизи энергии фотонов 1.18 эВ в n-GaAs, легированном Sn или Si с концентрацией электронов ~10¹⁸ см^-3. Показано, что температурная зависимость наведенной поляризации этой фотолюминесценции, связанной с комплексами V_GaSn_Ga или V_GaSi_Ga, в области температур 77-230 K близка к соответствующей зависимости для комплексов V_GaTe_As. Вместе с тем обнаружено слабое падение наведенной поляризации с ростом температуры в диапазоне 77-125 K, отсутствующее для комплексов V_GaTe_As. Предполагается, что это отличие вызвано существованием в поглощающем и излучающем состояниях комплексов V_GaSn_Ga и V_GaSi_Ga возбужденных конфигураций, заселенность которых в поглощающем состоянии увеличивается с температурой. Различие в полной энергии возбужденной и основной конфигураций поглощающего состояния составляет 10-20 мэВ для комплексов V_GaSn_Ga и 15-30 мэВ для комплексов V_GaSi_Ga.

E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 992 (1968)
В.И. Вовненко, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 10, 1097 (1976)
H.J. Guislain, L. De Wolf, P. Clauws. J. Electron. Mater., 7, 83 (1978)
Z.C. Wong, C.J. Li, S.K. Wan, L.Y. Lin. J. Cryst. Growth, 103, 38 (1990)
Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 30, 1123 (1996)
А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 27, 1526 (1993)
Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992)
А.А. Гуткин, Т. Пиотровский, Е. Пулторак, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 32, 40 (1998)
A.A. Gutkin, M.A. Reshchikow, V.E. Sedov. Zeitschrift fur Physikalische Chemie, Bd. 200, 217 (1997)
А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, 1062 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель