Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов GaN/GaP
1Государственый университет Молдовы, MD Кишинев, Молдавия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.
Методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе выращены тонкие интерференционные слои n-GaN на подложках n- и p- GaP с ориентациями (100) и (111). Изучены спектры фоточувствительности анизотипных и изотипных гетеропереходов при наклонном падении линейно поляризованного излучения со стороны широкозонной компоненты. Обнаружена наведенная поляризационная фоточувствительность и обсуждаются ее особенности, обусловленные интерференцией излучения в слое нитрида галлия.
- S. Nakamura, M. Sench, N. Iwasa, S. Nagahawa, T. Yamada, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys., Pt. 2, 34, L1332 (1995)
- S. Nakamura, M. Sench, Y. Nagahawa, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoko, Y. Sugimoto. Appl. Phys. Lett., 68, 3269 (1996)
- Y.C. Yeo, T.C. Chong, M.F. Li. J. Appl. Phys., 83, 1429 (1998)
- J.C. Carrano, T. Li, P.A. Greedwski, C.J. Eiting, R.D. Dupuis, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 72, 542 (1998)
- С.Г. Конников, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, М. Сергинов, С. Тилевов, Ж. Ханов. Письма в ЖТФ, 18, N 24, 11 (1992)
- С.Г. Конников, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, А. Беркелиев, М.Г. Дурдымурадова, О.В. Корнякова. Письма в ЖТФ, 19, 57 (1993)
- S.G. Konnikov, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', D. Melebaev, A. Berkeliev, M. Serginov, S. Tilevov. Jpn. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 32--3, 545 (1993)
- Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1996)
- В.Ю. Рудь, М. Сергинов, С. Тилевов. Письма в ЖТФ, 18, 50 (1992)
- С.Г. Конников, Д. Малебаев, В.Ю. Рудь, Л.М. Федоров. Письма в ЖТФ, 18, 11 (1992)
- Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Л.М. Федоров. ФТП, 27, 1611 (1993)
- А. Беркелиев, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 28, 14 (1994)
- Т. Вальтер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Г.В. Шок. ФТП, 31, 806 (1997)
- В.М. Ботнарюк, А.В. Коваль, А.В. Симашкевич, Д.А. Щербан, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 800 (1997)
- Selected Topis in Electronics and Systems, v. 4. Compound Semiconductor Electronics: The Age of Maturity, ed. by M. Shur (World Scientific, 1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
