Плазменной обработкой монокристаллических пластин арсенида и фосфида галлия получены тонкие широкозонные слои. Исследованы спектральные зависимости фотолюминесценции полученных слоев и фоточувствительности структур слой/подложка. Анализ полученных результатов позволяет считать, что разработанный технологический процесс приводит к замещению атомов мышьяка и фосфора на азот и образованию на поверхности указанных полупроводников широкозонных слоев твердых растворов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.