"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs
Агекян В.Ф.1, Иванов--Омский В.И.2, Князевский В.Н.2, Рудь В.Ю.3, Рудь Ю.В.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Плазменной обработкой монокристаллических пластин арсенида и фосфида галлия получены тонкие широкозонные слои. Исследованы спектральные зависимости фотолюминесценции полученных слоев и фоточувствительности структур слой/подложка. Анализ полученных результатов позволяет считать, что разработанный технологический процесс приводит к замещению атомов мышьяка и фосфора на азот и образованию на поверхности указанных полупроводников широкозонных слоев твердых растворов.
  1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys., 30, 1998 (1991)
  2. Yoshida. J. Cryst. Growth., 136, 37 (1994)
  3. S.G. Konnikov, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', D. Melebaev, A. Berkeliev, M. Serginov, S. Televov. Jpn. J. Appl. Phys., 32S, 515 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.