"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние неоднородности пространственного распределения неравновесных носителей на спектры краевого излучения прямозонных полупроводников
Лукашевич П.Г.1
1Белорусская государственная политехническая академия, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 7 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Показано, что при высоких плотностях однофотонного возбуждения неоднородное распределение неравновесных носителей по глубине оказывает сильное влияние на соотношение интенсивностей различных полос и может приводит к практически полному подавлению полос электронно-дырочной плазмы в спектрах краевого излучения кристаллов. Оценена величина разлета неравновесной электронно-дырочной плазмы.
  1. А.А. Клочихин, Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, М.А. Якобсон, Г.О. Мюллер, В.Д. Егоров. ФТТ, 29, 1123 (1987)
  2. П.Г. Лукашевич. ФТП, 29, 2002 (1995)
  3. П.Г. Лукашевич. ФТП, 29, 1253 (1995)
  4. П.Г. Лукашевич, В.Н. Павловский, В.А. Самойлюкович. ФТП, 23, 578 (1989)
  5. M. Kwietniak. Zjawiska Luminescencji w ZnTe (Wroclaw--Warszawa--Krakow--Gdansk, PAN, 1980)
  6. П.Г. Лукашевич, В.А. Иванов. ЖПС, 36, 160 (1980)
  7. Н.Н. Зиновьев, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 14, 464 (1980)
  8. Н.Н. Зиновьев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖЭТФ, 33, 601 (1981)
  9. Электронно-дырочные капли в полупроводниках, под ред. К.Д. Джефриса, Л.В. Келдыша (М., Наука, 1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.