Фотолюминесценция области пространственного заряда контактов металл--селенид цинка
Махний В.П.1, Слетов М.М.1
1Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 16 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.
Приведены результаты исследований фотолюминесценции, которая возбуждается N2-лазером в области пространственного заряда контактов Ni-ZnSe. Установлено, что модуляция интенсивности фотолюминесценции происходит не только под действием внешнего напряжения, но и в ее отсутствие, в зависимости от режима включения диода - холостого хода или короткого замыкания. Предлагается физическая интерпретация исследуемых закономерностей.
- Г.П. Пека. Физические явления на поверхности полупроводников (Киев, Вища шк., 1984)
- Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, Е.П. Морозов. ФТП, 1, 465 (1967)
- Н. Адиб, А.В. Коваль, О.С. Кощуч, А.В. Симашкевич, Д.А. Щербан. ФТП, 19, 2102 (1985)
- В.Д. Рыжиков. Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений AIIBVI (М., НИИТЭХИМ, 1989)
- В.П. Махний, В.В. Мельник. ФТП, 29, 1468 (1995)
- В.П. Махний. Поверхность, 5, 83 (1995)
- К. Гопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986)
- Физика и химия соединений A2B6 (М., Мир, 1970)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук