"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция области пространственного заряда контактов металл--селенид цинка
Махний В.П.1, Слетов М.М.1
1Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 16 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Приведены результаты исследований фотолюминесценции, которая возбуждается N2-лазером в области пространственного заряда контактов Ni-ZnSe. Установлено, что модуляция интенсивности фотолюминесценции происходит не только под действием внешнего напряжения, но и в ее отсутствие, в зависимости от режима включения диода - холостого хода или короткого замыкания. Предлагается физическая интерпретация исследуемых закономерностей.
  1. Г.П. Пека. Физические явления на поверхности полупроводников (Киев, Вища шк., 1984)
  2. Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, Е.П. Морозов. ФТП, 1, 465 (1967)
  3. Н. Адиб, А.В. Коваль, О.С. Кощуч, А.В. Симашкевич, Д.А. Щербан. ФТП, 19, 2102 (1985)
  4. В.Д. Рыжиков. Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений AIIBVI (М., НИИТЭХИМ, 1989)
  5. В.П. Махний, В.В. Мельник. ФТП, 29, 1468 (1995)
  6. В.П. Махний. Поверхность, 5, 83 (1995)
  7. К. Гопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986)
  8. Физика и химия соединений A2B6 (М., Мир, 1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.