"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности явления самокомпенсации в РbТе<Tl, Рbизб>
Житинская М.К., Кайданов В.И., Немов С.А., Афанасьева Л.А.
Выставление онлайн: 20 октября 1988 г.

Исследовано явление самокомпенсации в РbТе, легированном Tl и избытком Рb. Показано, что экспериментальные данные удается согласовать с теорией, если предположить, что компенсация легирующего действия Tl осуществляется не только одиночными двукратно ионизованными вакансиями теллура, но и путем образования комплексов типа ион примесивакансия Те с энергией связи Deltavarphiк~0.5 эВ при 650oС. Электрофизические свойства компенсированных образцов характеризуются наличием ряда особенностей, свидетельствующих в пользу существования в образцах p-типа резонансного уровня в валентной зоне с энергией ~0.1 эВ и локального уровня под дном зоны проводимости с энергией ~0.1 эВ в образцах n-типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.