"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Многофотонное электропоглощение в полупроводниках с вырожденной валентной зоной
Монозон Б.С., Селезнева А.Н.
Выставление онлайн: 20 октября 1988 г.

Развита теория межзонного многофотонного поглощения во внешнем однородном электрическом поле E в полупроводниках типа АIIIВV с вырожденной валентной зоной, содержащей подзоны легких и тяжелых дырок. Получены аналитические выражения для вероятностей s-фотонных переходов из валентной зоны в зону проводимости. Исследованы случаи параллельной и взаимно перпендикулярной ориентаций поля E и электрического поля сильной световой волны F0cos wt. Изучены зависимости поглощения от интенсивности ~ F20 и частоты omega поглощаемого света, от напряженности поля E, а также от параметров электронной и дырочной зон. Основное внимание уделено различию вкладов легких и тяжелых дырок в отдельные области спектра нечетно- и четно-фотонного поглощения. Обнаружен продольно-поперечный дихроизм многофотонного электропоглощения в рассмотренных алмазоподобных полупроводниках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.