"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Распределение импульса неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике при произвольных уровнях возбуждения
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Теоретически исследованы дрейф и диффузия неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике при произвольных уровнях возбуждения. Рассмотрен случай разомкнутой цепи. Показано, что с увеличением концентрации носителей (уровня возбуждения) скорость амбиполярного дрейфа уменьшается, что наиболее существенно в полупроводнике p-типа. Для произвольных уровней возбуждения (нелинейный случай) уравнение непрерывности решено численно в безграничной среде с начальным возмущением в виде гауссова распределения в пространстве. Показано, что: - время прохождения импульсом заданного расстояния возрастает с уровнем возбуждения h и убывает с увеличением диффузионного параметра delta и начальной крутизны импульса; - скорость движения максимума импульса растет со временем; - амплитуда импульса падает со временем тем медленнее, чем больше h и меньше delta. Время прохождения импульсом заданного расстояния представлено численно и аналитически в зависимости от уровня возбуждения, диффузионного параметра, начальной крутизны импульса и отношения подвижностей электронов и дырок.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.