Методами теории многих частиц рассчитаны спектры оптического поглощения в полупроводниковых соединениях GaSb, InAs, в которых величина спин-орбитального отщепления близка к ширине запрещенной зоны. Рассмотрены переходы между подзонами валентной зоны и фундаментальное поглощение. Проведено сравнение с экспериментальными данными по поглощению в GaSb p-типа при 80 и 300 K. Получено удовлетворительное согласие теоретических и экспериментальных результатов вблизи фундаментального края поглощения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.