"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Уровни прилипания для электронов в ZnIn2Se4
Мехтиев Н.М., Гусейнов З.З.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Представлены результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств монокристаллов ZnIn2Se4 n-типа проводимости в интервале температур 77/300 K, Обнаружены термостимулированная проводимость, токи, ограниченные объемными зарядами, долговременная релаксация и остаточная проводимость. Установлено, что в запрещенной зоне монокристаллов ZnIn2Se4 присутствуют медленные, экспоненциально распределенные в энергетическом интервале 0.12/0.3 эВ уровни прилипания для электронов. Определены параметры уровней прилипаний и рекомбинаций в ZnIn2Se4.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.