"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние лазерного отжига на электрические характеристики МДП структур на основе GaAs
Воронков В.П., Калыгина В.М., Муленков С.Ю., Оборина Е.И., Сальман Е.Г., Смирнова Т.П.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

Исследовано влияние импульсного лазерного отжига с lambda=0.69 мкм на электрические характеристики структур металл-Si3N4-BN-GaAs. Показано, что при энергиях отжига E=< 10 Дж/см2 вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики сдвигаются в область меньших обогащающих потенциалов. При E>10 Дж/см2 происходит инверсия хода вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик. Изменения электрических характеристик МДП структур после лазерного отжига связаны с превращениями, происходящими на границе раздела диэлектрик-полупроводник.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.