"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние температуры отжига имплантированного хлором кремния на образование электрически активных комплексов
Омельяновская Н.М., Краснобаев Л.Я.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

Исследовано влияние температуры отжига на электрофизические свойства n- и p-типа кремния, имплантированного хлором с энергией 200 кэВ и дозами 1· 1013 и 1· 1015 см-2. Измерения профиля распределения носителей заряда и слоевого сопротивления структур после отжига при T=350-1000oC показали, что хлор образует с радиационными дефектами электрически активные комплексы, которые в зависимости от температуры обработки могут быть как донорного, так и акцепторного типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.