"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние избыточного давления паров компонентов на ансамбль точечных дефектов в кристаллах CdS
Крюкова И.В., Теплицкий В.А., Шульга Е.П., Корсунская Н.Е.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

Исследованы электрические, фотоэлектрические и люминесцентные характеристики кристаллов CdS, выращенных при регулируемом избыточном давлении паров S и Cd. Установлена зависимость суммарной концентрации доноров, суммарной концентрации акцепторов, а также концентрации междоузельного кадмия от давления паров компонентов. Идентифицированы дефекты, концентрация которых изменяется при изменении давления паров S и Cd.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.