"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллических слоев ZnxCd1-xTe, полученных твердофазным замещением
Бабенцов В.Н., Горбань С.И., Евтухов Ю.Н.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

Исследовано влияние процесса твердофазных реакций замещения (ТРЗ), проводимого в неоптимальных условиях, на спектры низкотемпературной фотолюминесценции (НФЛ) подложки CdTe и выращенных на ней слоев ZnxCd1-xTe. Показано, что в подложке после ТРЗ на спектрах НФЛ пропадают полосы, связанные с комплексом A-H, и появляются линии A-A-комплексов. Кроме этого, как в CdTe, так и в твердом растворе ZnCdTe появляются полосы D вызванные дефектом типа дислокационная петля. Установлено, что механизм рекомбинации экситона на D-центре в твердом растворе аналогичен механизму в теллуриде кадмия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.