"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние накопления неосновных носителей в p+-слое на процесс восстановления напряжения на p+-n-переходе
Кардо-Сысоев А.Ф., Попова М.В., Шеметило Д.И.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

Рассматривается влияние накопления неосновных носителей в сильно легированном p+-слое p+-n-n+-диода на процесс восстановления напряжения на нем при смене направления протекающего через прибор тока. Эксперименты, проведенные для диодов с различным градиентом распределения концентрации легирующей примеси в p-n-переходе (dn/dx), показали, что накопление носителей в приборе существенно уменьшает скорость роста напряжения на нем на этапе выноса носителей из диода. Численный расчет оказался в хорошем согласии с данными эксперимента при подборе только одного параметра - коэффициента инжекции p+-n-перехода, значение которого может изменяться в пределах от 1 до 0.26 для диодов с различными значениями dn/dx. В частности, при уменьшении dn/dx от 8·1018 до 1.2·1018 см-4 коэффициент инжекции изменяется от 0.5 до 0.26.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.