Приведены результаты исследования полевых зависимостей шумовой температуры в компенсированном n-InSb в поперечном и продольном электрическому полю направлениях. Установлено, что в образцах, в которых наблюдается эффект охлаждения электронов в греющих СВЧ электрических полях, при T₀= 80 K в скрещенном электрическом и магнитном полях с ростом индукции магнитного поля происходит увеличение поперечной шумовой температуры. Этот факт объясняется влиянием магнитного поля на эффект охлаждения электронного газа. На возникновение этого эффекта в компенсированном InSb указывают и представленные в работе результаты исследований полевых зависимостей продольной шумовой температуры при различных температурах кристаллической решетки. Обсуждается влияние флуктуационного потенциала дна зоны проводимости на величину измеряемой поперечной шумовой температуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.