"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция антимонида галлия, легированного марганцем
Георгицэ Е.И.1, Гуцуляк Л.М.1, Иванов-Омский В.И.1, Смирнов В.А.1, Юлдашев Ш.У.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Санкт-Петербург
Выставление онлайн: 20 октября 1991 г.

Исследованы фотолюминесцентные свойства антимонида галлия, легированного марганцем в магнитных полях до 6 Т, в широком интервале концентраций марганца (0.005/1 ат%) при температурах 2 и 4.2 K. На основе анализа температурной зависимости коэффициента Холла и наблюдаемых полос ФЛ показано, что марганец в антимониде галлия является акцептором с глубиной залегания 18 мэВ и заменяет, скорее всего, вакансии галлия в основной матрице. Проведена идентификация наблюдаемых излучательных полос. Обнаружен вклад в излучательную рекомбинацию электронов основного (Gamma6) и побочного (L) минимумов зоны проводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.