"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение профиля концентрации марганца и никеля, имплантированных в кремнии
Бахадырханов М.К.1, Миркамилова М.С.1, Шустров В.А.1
1Ташкентский политехнический институт им. Беруни
Выставление онлайн: 20 октября 1991 г.

Установлена связь коэффициента ионно-электронной эмиссии gamma с концентрацией примеси, имплантированной в кремний. Опыты приведены с примесью Мn и Ni в КДБ. Имплантацию с дозами в интервале 5·1016-1.2·1017 см-2 осуществляли с энергией 40 кэВ. Показано, что кривая зависимости коэффициента gamma от глубины "работающего на эмиссию" слоя имеет два максимума. Ближний к поверхности максимум авторы связывают с максимумом линдхардовского распределения примеси, более глубокий максимум связан с максимумом каналированной при имплантации примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.