Методами линейной и нелинейной оптики исследовано влияние нарушения стехиометрии на урбаховский участок краевого поглощения CdSe. Установлено, что с ростом концентрации мелких акцепторов увеличивается размытие края линейного поглощения, растет порог просветления и происходит изменение коэффициента поглощения при переходе от низких интенсивностей излучения к высоким. Из сравнения глубины залегания мелких акцепторных уровней, найденной из температурной зависимости порога просветления и определенной по спектрам люминесценции и фотопроводимости, найдено, что просветление связано с перезарядкой акцепторов с глубиной залегания уровней ~0.1 эВ. Эти акцепторы входят в состав комплексных центров свечения, обусловливающих полосы люминесценции с максимумами при hnu_m=1.73 и 1.2 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.