"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эллипсометрический анализ структуры GaAs-анодный окисел
Макарова Т.Л.1, Шаронова Л.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Санкт-Петербург
Выставление онлайн: 20 октября 1991 г.

Эллипсометрическим методом исследована структура арсенида галлия-анодный окисел в комплексном самосогласованном эксперименте, включающем многоугловые изменения на 6 длинах волн в диапазоне 0.4765-0.6328 мкм. Установлена оптическая модель структуры, детектирован переходный слой и определены его параметры. В указанном спектральном диапазоне измерены оптические константы и дисперсия всех слоев, входящих в систему.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.