"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Вольт-фарадная характеристика m-s-структур с изотипным гетеропереходом
Бычковский Д.Н.1, Константинов О.В.1, Панахов М.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Санкт-Петербург
Выставление онлайн: 20 октября 1991 г.

Теоретически установлено наличие ступенчатой особенности на вольт-фарадных характеристиках (ВФХ) диода Шоттки с изотипным гетеропереходом, имеющим узкозонную область под металлом и широкозонную в толще. Если толщина узкозонной прослойки превосходит равновесную толщину области пространственных зарядов (ОПЗ) под металлом не более чем в 2 раза, то при наложении обратного смещения граница ОПЗ проходит через гетеропереход. С этим и связаны особенности на ВФХ. По этим особенностям можно определить величину разрыва зоны на гетеропереходе и толщину узкозонной прослойки. Повышение температуры сглаживает особенности на ВФХ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.