"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О механизме фотопроводимости кристаллов магнитного полупроводника CdCr2Se4
Голик Л.Л.1, Кунькова З.Э.1
1Институт радиотехники и электроники АН СССР, Фрязино
Выставление онлайн: 20 октября 1991 г.

Представлены расчеты температурных зависимостей фотопроводимости кристаллов магнитного полупроводника CdCr2Se4, выполненные на основе трехцентровой модели компенсированного полупроводника с учетом зависимости глубины залегания одного из центров, расположенного в верхней части запрещенной зоны, от степени магнитного упорядочения материала. Модель хорошо описывает основные особенности экспериментальных зависимостей фотопроводимости кристаллов CdCr2Se4<Ga>.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.