Проанализированы граничная частота и соответствующая ей СВЧ мощность полевых транзисторов (с p-n затвором либо с затвором Шоттки) на основе известной аналитической модели, учитывающей насыщение дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях. Рассчитаны возможные значения граничной частоты и мощности полевых транзисторов на основе карбида кремния политипа 6H - полупроводника, у которого напряженность поля лавинного пробоя (~=5·10⁶ В/см) на порядок, а насыщенная скорость дрейфа электронов (2·10⁷ см/с) в 2 раза больше, чем у кремния и арсенида галлия. Проведено сопоставление характеристик граничная частота-мощность SiC (6H)- и GaAs-транзисторов с длиной затвора 1.5/0.3 мкм. Показано, что SiC (6H)-транзисторы могут работать в диапазоне частот 10/100 ГГц с выходной мощностью 100/7 Вт, тогда как GaAs-транзисторы - в диапазоне частот 10/50 ГГц с выходной мощностью 4/0.2 Вт. Таким образом, показано, что SiC (6H) может стать реальной основой для создания мощных (в десятки ватт) транзисторов миллиметрового диапазона СВЧ уже при современных, возможностях литографии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.