"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Конденсация SiHn-комплексов и псевдолегирование в alpha-Si : H
Лигачев В.А.1, Гордеев В.Н.1, Филиков В.А.1, Сулеман Х.1
1Московский энергетический институт
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.

Представлены полученные различными методами результаты исследований эффекта псевдолегирования в двух сериях образцов alpha-Si : Н, приготовленных методом ВЧ распыления. Установлена связь изменения положения уровня Ферми (Ef) с изменением механизмов: конденсации SiHn-комплексов (n=1, 2). Показана ограниченность известных схем анализа взаимосвязи между положением Ef и спектром плотности состояний. Предлагается новый вариант такой схемы, допускающий количественные оценки сдвига Ef по данным о содержании рассматриваемого комплекса в пленке и прямую экспериментальную проверку ее спектроскопическими методами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.