Представлены полученные различными методами результаты исследований эффекта псевдолегирования в двух сериях образцов alpha-Si : Н, приготовленных методом ВЧ распыления. Установлена связь изменения положения уровня Ферми (E_f) с изменением механизмов: конденсации SiH_n-комплексов (n=1, 2). Показана ограниченность известных схем анализа взаимосвязи между положением E_f и спектром плотности состояний. Предлагается новый вариант такой схемы, допускающий количественные оценки сдвига E_f по данным о содержании рассматриваемого комплекса в пленке и прямую экспериментальную проверку ее спектроскопическими методами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.