"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Легирование и псевдолегирование аморфного гидрированного кремния (о б з о р)
Голикова О.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Санкт-Петербург
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.

Рассмотрены два независимых способа управления свойствами аморфного гидрированного кремния: легирование и псевдолегирование. При псевдолегировании сдвиги уровня Ферми в щели подвижности происходят вследствие трансформаций структурной сетки и плотности локализованных состояний, что обеспечивается вариациями условий осаждения пленок. Показано, что основным параметром, определяющим концентрацию дефектов (оборванных связей) и величины удельных сдвигов (mutau) носителей заряда, является положение уровня Ферми в щели подвижности независимо от способа его достижения (легирование или псевдолегирование). Таким образом, образование дефектов при легировании нельзя считать сопутствующим фактором, как это предполагалось ранее. Рассматриваемые данные о свойствах легированного и псевдолегированного материалов можно интерпретировать в рамках одной и той же pool"-концепции образования дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.