Излагается последовательная теория разогрева локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации в полупроводниках. Обсуждаются основные механизмы возбуждения и релаксации локальных колебаний дефектов. Анализируются рекомбинационно-стимулированные реакции в полупроводниках. Теория разогрева локальных колебаний применяется для вычисления скорости рекомбинационно-стимулированных реакций, а также для интерпретации экспериментальных данных по неупругому распылению поверхности твердых тел ионной бомбардировкой и лазерному отжигу в полупроводниках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.