"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
ИК колебательные спектры GeP
Сырбу Н.Н.1, Лукин А.Н.1, Заднипру И.Б.1
1Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.

Исследованы ИК колебательные спектры кристаллов GeP в поляризациях E|| C и E normal C в области 50-4000 см-1. Рассчитаны контуры спектров отражений и определены параметры фононов, статическая и динамическая диэлектрические постоянные (varepsilonбесконечность и varepsilon0). Рассчитаны эффективный заряд Сиггети, динамический эффективный заряд Борна и относительные заряды катионов и анионов. Проведено сравнение колебательных спектров GeP и SiAs. Показано, что в этих двух материалах разная степень ионности имеет место при ориентации светового поля вдоль и перпендикулярно оси С кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.