Особенности вольт-амперной характеристики асимметричной системы квантовых ям GaAs/AlGaAs с широкими барьерами между ними
Кадушкин В.И.1, Капаев В.В.2, Кучеренко И.В.2, Подливаев А.И.3, Руднев И.А.3, Синченко А.А.3, Шангина Е.Л.1
1Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
В гетероситсеме GaAs/AlGaAs с тремя квантовыми ямами и широкими краевыми барьерами изучены вольт-амперные характеристики для вертикального транспорта. На характеристиках отмечаются особенности, связанные с резонансным туннелированием электронов.
- J.P. Eisenstein, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Appl. Phys. Lett., 57, 2324 (1990)
- H.C. Liu, A.G. Steele, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski. J. Appl. Phys., 70, 7560 (1991)
- А.А. Горбацевич, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев. Письма ЖЭТФ, 57, 565 (1993)
- В.Ф. Елесин, Ю.В. Капаев, Л.А. Опенов, А.И. Подливаев. ФТП, 29 (1994)
- Ю.А. Алещенко, И.Д. Воронова, С.П. Гришечкина и др. Письма ЖЭТФ, 58, 377 (1993)
- В.И. Кадушкин, Е.Л. Шангина. ФТП, 27, 1311 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
