"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности вольт-амперной характеристики асимметричной системы квантовых ям GaAs/AlGaAs с широкими барьерами между ними
Кадушкин В.И.1, Капаев В.В.2, Кучеренко И.В.2, Подливаев А.И.3, Руднев И.А.3, Синченко А.А.3, Шангина Е.Л.1
1Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 6 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

В гетероситсеме GaAs/AlGaAs с тремя квантовыми ямами и широкими краевыми барьерами изучены вольт-амперные характеристики для вертикального транспорта. На характеристиках отмечаются особенности, связанные с резонансным туннелированием электронов.
  1. J.P. Eisenstein, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Appl. Phys. Lett., 57, 2324 (1990)
  2. H.C. Liu, A.G. Steele, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski. J. Appl. Phys., 70, 7560 (1991)
  3. А.А. Горбацевич, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев. Письма ЖЭТФ, 57, 565 (1993)
  4. В.Ф. Елесин, Ю.В. Капаев, Л.А. Опенов, А.И. Подливаев. ФТП, 29 (1994)
  5. Ю.А. Алещенко, И.Д. Воронова, С.П. Гришечкина и др. Письма ЖЭТФ, 58, 377 (1993)
  6. В.И. Кадушкин, Е.Л. Шангина. ФТП, 27, 1311 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.