Дефектообразование в кремнии при протонном облучении
Мальханов С.Е.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Приводится расчет коэффициента диффузии положительно заряженной вакансии в слое объемного заряда n+-p-перехода p-кремния при протонном облучении (DV+=1.2·10-12 см2/с). Найдена локальная температура в этом слое во время облучения (T=1300oC) путем сравнения нашего результата с литературными данными. Предположено, что присутствие дефектов, обнаруженное нами ранее на глубине, вдвое большей, чем пробег протонов с энергией 100 КэВ в кремнии, происходит благодаря диффузии нейтральных вакансий на данную аномальную глубину.
- В.В. Емцев, Т.В. Мащовец. \it Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., 1981)
- Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 27, 113 (1993)
- Л.С. Берман, А.М. Иванов, М.Л. Павлова, А.Д. Ременюк, Н.Б. Строкан. ФТП, 27, 1795 (1993)
- Н.В. Колесников, В.Н. Ломасов, С.Е. Мальханов. ФТП, 22, 534 (1988)
- Л.С. Берман, В.А. Жепко, В.Н. Ломасов, В.Н. Ткаченко. ФТП, 23, 2129 (1989)
- Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (Л., 1961)
- Б.И. Болтакс. \it Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., 1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
