"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дефектообразование в кремнии при протонном облучении
Мальханов С.Е.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

Приводится расчет коэффициента диффузии положительно заряженной вакансии в слое объемного заряда n+-p-перехода p-кремния при протонном облучении (DV+=1.2·10-12 см2/с). Найдена локальная температура в этом слое во время облучения (T=1300oC) путем сравнения нашего результата с литературными данными. Предположено, что присутствие дефектов, обнаруженное нами ранее на глубине, вдвое большей, чем пробег протонов с энергией 100 КэВ в кремнии, происходит благодаря диффузии нейтральных вакансий на данную аномальную глубину.
  1. В.В. Емцев, Т.В. Мащовец. \it Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., 1981)
  2. Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 27, 113 (1993)
  3. Л.С. Берман, А.М. Иванов, М.Л. Павлова, А.Д. Ременюк, Н.Б. Строкан. ФТП, 27, 1795 (1993)
  4. Н.В. Колесников, В.Н. Ломасов, С.Е. Мальханов. ФТП, 22, 534 (1988)
  5. Л.С. Берман, В.А. Жепко, В.Н. Ломасов, В.Н. Ткаченко. ФТП, 23, 2129 (1989)
  6. Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (Л., 1961)
  7. Б.И. Болтакс. \it Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.