Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Композиционные покрытия с матрицей из сульфида свинца для фотопроводящих слоев

Манько В.С.¹, Андреев В.А.¹, Чащин С.П.¹, Хабибуллин И.Г.¹, Закирова Э.А.¹

¹Государственный институт прикладной оптики, Казань, Россия Scientific Production Association State Institute of Applied Optics (SPC SIAO), Kazan, Russia

Scientific Production Association State Institute of Applied Optics (SPC SIAO), Kazan, Russia

Поступила в редакцию: 12 января 1994 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показана возможность изготовления фотопроводящих композиционных слоев с матрицей из сульфида свинца химическим путем из суспензий. Приводится спектральное распределение фоточувствительности слоев PbS с частицами CdS и PbSe. Установлено, что введение полупроводниковых частиц дисперсной фазы в матрицу из PbS позволяет управлять его фотоэлектрическими свойствами.

Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. \it Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe \it и PbS (М., 1968)
Р. Смит, Ф. Джонс, Р. Чеслер. \it Обнаружение и измерение инфракрасного излучения (М., ИЛ, 1969)
К.К. Мещененко, В.С. Манько. Опт.-мех. промышленность, вып. 10, 47 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель