Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Композиционные покрытия с матрицей из сульфида свинца для фотопроводящих слоев
1Государственный институт прикладной оптики, Казань, Россия 
Поступила в редакцию: 12 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Показана возможность изготовления фотопроводящих композиционных слоев с матрицей из сульфида свинца химическим путем из суспензий. Приводится спектральное распределение фоточувствительности слоев PbS с частицами CdS и PbSe. Установлено, что введение полупроводниковых частиц дисперсной фазы в матрицу из PbS позволяет управлять его фотоэлектрическими свойствами.
- Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. \it Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe \it и PbS (М., 1968)
- Р. Смит, Ф. Джонс, Р. Чеслер. \it Обнаружение и измерение инфракрасного излучения (М., ИЛ, 1969)
- К.К. Мещененко, В.С. Манько. Опт.-мех. промышленность, вып. 10, 47 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
