"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О некоторых закономерностях электронного спектра примесных центров d-элементов в кремнии
Юнусов М.С.1, Ахмадалиев А.1, Оксенгендлер Б.Л.1, Бегматов К.А.1
1Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 5 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

С помощью метода релаксационной спектроскопии глубоких уровней (метод DLTS) исследован электронный спектр кремния, легированного Co, Rh, Ir. В каждом случае обнаружено по два уровня как в верхней, так и в нижней половинах запрещенной зоны. При этом в локализации уровней выявлены четкие закономерности (во-первых, их симметрия относительно середины запрещенной зоны и, во-вторых, их монотонное изменение с увеличением атомного номера примеси), связанные с особенностью заполнения d-состояний примеси.
  1. А. Милнс. \it Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977). [Пер. с англ.: A.G. Milnes. \it Deep Impurities in Semiconductors (N.Y.--London--Sydney--Toronto, John Wiley \& Sons, 1973)]
  2. Е.М. Омельяновский, В.И. Фистуль. \it Примеси переходных металлов в полупроводниках (М., Металлургия, 1983)
  3. В.И. Фистуль. \it Амфотерные примеси в полупроводниках (М., Металлургия, 1992)
  4. C.R. Crowell, S. Alipanahi. Sol. St. Electron., 19, 25 (1981)
  5. Ф.Р. Каримов, А.А. Лебедев, А.Т. Мамадалимов, М.С. Юнусов. ФТП, 7, 159 (1973)
  6. A.J. Pals. Sol. St. Electron., 17, 1139 (1974)
  7. K.P. Lisiak, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 19, 115 (1976)
  8. С.А. Азимов, А.А. Лебедев, А.Т. Мамадалимов, Б.В. Умаров, М.С. Юнусов. ФТП, 9, 1828 (1975); ФТП, 9, 2391 (1975)
  9. H. Lemke. Phys. St. Sol. (a), 91, 143 (1985)
  10. H. Lemke. Phys. St. Sol. (a), 91, 649 (1985)
  11. S. Pantelides. Rev. Mod. Phys., 50, 797 (1978)
  12. М. Ланно, Ж. Бургуэн. \it Точечные дефекты в полупроводниках (М., 1984). [Пер. с англ.: M. Lannoo, J. Bourgoin. \it Point Defects in Semiconductors (Berlin--Heidelberg--N.Y., Springer-Verlag, 1981)]
  13. М.С. Юнусов, А.Ш. Махмудов, Б.Л. Оксенгендлер и др. \it Элементарные атомные процессы и электронная структура дефектов в полупроводниках (Ташкент, Фан, 1986)
  14. С.С. Бацанов, Р.А. Звягина. \it Интегралы перекрытия и проблема эффективных зарядов (Новосибирск, Наука, 1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.