"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
=4.5pt -5ptПоляризационно-зависимая фотопроводимость в одноосно-деформированных узкощелевых полупроводниках
Васько Ф.Т.1, Гасан-заде С.Г.1, Стриха М.В.1, Шепельский Г.А.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 2 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

Обнаружены и интерпретированы индуцированные одноосной упругой деформацией поляризационно-зависящие изменения спектральных характеристик фотопроводимости в узкощелевых полупроводниках InSb и CdxHg1-xTe. Указанные изменения обусловлены различием в правилах отбора для оптических переходов из состояний валентной зоны, расщепленной деформацией, в зону проводимости.
  1. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. \it Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  2. C.V. Higginbotham, M.Cardona, F.H. Pollak. Phys. Rev., 184, 821 (1969)
  3. F.H. Pollak. Semicond. Semimet., 32, 17 (1990)
  4. Ф.Т. Васько, М.В. Стриха. ФТП, 24, 1227 (1990)
  5. Ф.Т. Васько, Б.И. Песецкий, М.В. Стриха. УФХ, 35, 1201 (1993)
  6. T.S. Moss. Rep. Progr. Phys., 28, 15 (1985)
  7. А.С. Александров, А.Н. Кулямзин, А.П. Менушенков, Е.А. Протасов, Н.А. Толокнов, П.А. Черемных. ФТП, 11, 1167 (1977)
  8. Ф.В. Германенко, Г.М. Миньков, О.Э. Рут. ФТП, 21, 2008 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.