"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Осцилляции фотопроводимости и особенности релаксационной кинетики в a-Si : H
Будагян Б.Г.1, Айвазов А.А.1, Становов О.Н.1
1Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 1992 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Проведено исследование обнаруженного ранее эффекта высокотемпературных (80-200oC) осцилляции фотопроводимости в пленках a-Si : H. Установлена корреляция между данным явлением и особенностями релаксационной кинетики в структурно-неоднородном материале. Показано, что параметры осцилляции контролируются диффузионным движением водорода между состояниями внутренних границ и объема материала, а их изменения во времени описываются законом растянутой экспоненты.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.