"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Изотермическая и термостимулированная релаксация тока и емкости в слабо асимметричном p-n-переходе с неоднородным профилем легирования n- и p-областей
Урманов Н.А.1, Степанова М.Н.2
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Представлена теория изотермической и термостимулированной релаксации тока и емкости в p-n-переходе. На концентрации мелких примесей и ловушек в n- и p-областях не накладывается ограничений и допускается наличие концентрационных профилей. В однородном случае решена задача о положении пика термостимулированного тока и точки перегиба на кривой термостимулированной емкости в зависимости от указанных концентраций. Выполнены модельные расчеты релаксации, связанной с перезарядкой одного типа глубоких центров на обеих сторонах перехода, и обнаружен ряд особенностей. В их числе немонотонная релаксация емкости, обусловленная неоднородным распределением примесей. Ей соответствуют сложный спектр нестационарной емкостной спектроскопии. Приводятся экспериментальные результаты для слабо асимметричного p-n-перехода из GaAs, которые количественно описываются развитой теорией. При интерпретации результатов рассматривается захват из дебаевских хвостов и эффект Пула-Френкеля.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.