"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нелинейное поведение осциллящии Шубникова-де-Гааза в сильных электрических полях в короткоканальных AlxGa1-xAs/GaAs-гетероструктурах
Морозов С.В.1, Дубровский Ю.В.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 24 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Исследуется транспорт двумерных электронов в широких и коротких (~=1 мкм) гетероструктурах в квантующих магнитных полях. Обнаружено, что нелинейные зависимости дифференциальной проводимости от напряжения на образце Vc имеют характерные особенности при eVc, равном половине расстояния между уровнями Ландау (hQc/2). При этом характер нелинейности периодически изменяется с числом заполненных уровней Ландау.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.