"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In0.52Al0.48As методом жидкофазной эпитаксии при низких температурах (~ 650oC)
Бер Б.Я.1, Быстров С.Б.1, Зушинский Д.А.1, Корнякова О.В.1, Туан Ле1, Новиков С.В.1, Савельев И.Г.1, Третьяков В.В.1, Чалдышев В.В.1, Шмарцев Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Разработана технология получения методом жидкофазной эпитаксии при низких температурах (~650oC) эпитаксиальных слоев In0.52Al0.48As, изопериодических с подложками InP, что подтверждается исследованиями оже-спектров и спектров фотолюминесценции, а также результатами рентгеноспектрального микроанализа и гальваномагнитных измерений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.