"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние легирования гадолинием висмутового раствора-расплава на остаточные примеси в эпитаксиальном GaAs
Журавлев К.С.1, Якушева Н.А.1, Шамирзаев Т.С.1, Погадаев В.Г.1, Шегай О.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 11 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Исследовано влияние добавок гадолиния в жидкую фазу на состав мелких доноров и акцепторов в эпитаксиальном GaAs, полученном методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава на основе висмута. Установлено, что изменение электрофизических и люминесцентных свойств обусловлено уменьшением концентрации доноров серы и селена, элементов VI группы Периодической системы и незначительным уменьшением концентрации акцептора цинка. Обнаружено, что с добавлением гадолиния в расплав концентрация селена в слоях уменьшается быстрее, чем концентрация серы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.