Приводятся результаты исследований плотности дефектов оборванных Si-Si-связей в приповерхностной области (15-100 нм) слоев a-Si : H, приготовленных методом псевдолегирования, т. е. при varepsilon_F =var без специального легирования (varepsilon_F - уровень Ферми в объеме слоя). Для исследований применялись методы ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии и постоянного фототока. Получена количественная информация о распределении плотности оборванных связей в зависимости от глубины зондирования слоя и положения varepsilon_F В объеме. Получены также данные о параметре Урбаха в приповерхностной области слоев.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.