Вышедшие номера
Внутризонная фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, индуцированная межзонной подсветкой
Антонов А.В.1, Данильцев В.М.1, Дроздов М.Н.1, Дроздов Ю.Н.1, Молдавская Л.Д.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Исследуется эффект продольной внутризонной фотопроводимости в нелегированных гетероструктурах InAs/GaAs с квантовыми точками. Для заселения уровней квантовых точек носителями заряда используется оптическое межзонное возбуждение разной мощности и с разной длиной волны. В отсутствие межзонной подсветки фотопроводимость в среднем инфракрасном диапазоне не наблюдается. В то же время дополнительная подсветка структур излучением видимого или ближнего инфракрасного диапазона приводит к возникновению значительного сигнала фотопроводимости в среднем инфракрасном диапазоне (3-5 мкм), связанного с внутризонными переходами в квантовых точках. Сигнал наблюдается до температуры ~200 K. Использование оптической межзонной накачки позволяет увеличить сигнал внутризонной фотопроводимости по сравнению с аналогичными структурами, в которых для создания носителей на уровнях квантовых точек использовано легирование.