"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне
Крыжков Д.И.1, Морозов С.В.1, Гапонова Д.М.1, Сергеев С.М.1, Курицын Д.И.1, Маремьянин К.В.1, Гавриленко В.И.1, Садофьев Ю.Г.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Выполнено исследование спектров и кинетики низкотемпературной межзонной фотолюминесценции эпитаксиальных структур квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона в условиях мощного импульсного возбуждения. При высоких уровнях возбуждения (600 мВт, диаметр пятна ~ 200 мкм) наблюдалась фотолюминесценция, отвечающая переходам как между основными, так и между возбужденными состояниями двух туннельно-связанных ям. Кинетические измерения показали, что при уменьшении длины волны наблюдения фотолюминесценции времена нарастания и спада сильно уменьшаются, и при длинах волн <770 нм снижаются вплоть до временного разрешения измерительной системы.
  1. S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
  2. L. Kappei, J. Szczytko, F. Morier-Genoud, B. Deveaud. Phys. Rev. Lett., 94, 147 403 (2005)
  3. K.W. Sun, T.S. Song, C.-K. Sun, J.C. Wang, S.Y. Wang, C.P. Lee. Physica B, 272, 387 (1999)
  4. W.H. Knox, C. Hirliman, D.A.B Miller, Jagdeep Shah, D.S. Chemla, C.V. Shank. Phys. Rev. Lett., 56, 1191 (1986)
  5. M.S. Vitiello, G. Scamarcio, V. Spagnolo, B.S. Williams, S. Kumar, Q. Hu, J.L. Reno. Appl. Phys. Lett., 86, 111 115 (2005)
  6. Ю.Г. Садофьев, N. Samal, В.И. Козловский. Тр. XV Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, Россия, 2011) т. 2, с. 522
  7. L. Kappei, J. Szczytko, F. Morier-Genoud, B. Deveaud. Phys. Rev. Lett., 94, 147 403 (2005)
  8. L.V. Dao, M. Gal, G. Li, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 87, 3896 (2000)
  9. P. Blood. IEEE J. Quant. Electron., 36, 354 (2000)
  10. Л.В. Асрян. Квантовая электроника, 35, 117 (2005)
  11. В.Н. Абакумов, И.В. Перель, И.Н. Ясиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
  12. Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42 (5), 566 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.