Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
Лобанов Д.Н.1, Новиков А.В.1, Кудрявцев К.Е.1, Шалеев М.В.1, Шенгуров Д.В.1, Красильник З.Ф.1, Захаров Н.Д.2, Werner P.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, Halle/Saale, Germany
2Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, Halle/Saale, Germany
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.
Представлены результаты исследований электролюминесценции многослойных p-i-n-структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001). Обнаружена немонотонная зависимость интенсивности сигнала электролюминесценции от островков, наблюдаемого при комнатной температуре, от толщины разделительного слоя Si. Наибольшая интенсивность сигнала электролюминесценции наблюдается для структур с толщиной разделительного слоя Si 15-20 нм. Обнаруженное существенное уменьшение сигнала электролюминесценции от островков в структурах с толстыми разделительными слоями Si (>20 нм) связывается с формированием в них дефектных областей. Наблюдаемое уменьшение интенсивности сигнала электролюминесценции в структурах с тонкими слоями Si связывается с уменьшением доли Ge в островках в этих структурах, которое вызвано увеличением диффузии Si в островки с ростом упругих напряжений в структуре.
- V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, P. Werner. Phys. Status Solidi A, 198, R4 (2003)
- А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, С.В. Чайковский, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, М.С. Сексенбаев, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев, ФТП, 38 (10), 1265 (2004)
- W.-H. Chang, A.T. Chou, W.Y. Chen, H.S. Chang, T.M. Hsu, Z. Pei, P.S. Chen, S.W. Lee, L.S. Lai, S.C. Lu, M.-J. Tsai, Appl. Phys. Lett., 83, 2958 (2003)
- M. Stoffel, U. Denker, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 82, 3232 (2003)
- T. Brunhes, P. Boucaud, S. Sauvage, F. Aniel, J.-M. Lourtioz, C. Hernandez, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel, G. Faini, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett., 77, 1822 (2000)
- M.H. Liao, C.-Y. Yu, T.-H. Guo, C.-H. Lin, C.W. Liu. IEEE Electron. Dev. Lett., 27, 252 (2006)
- Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский. Письма ЖЭТФ, 76, 425 (2002)
- U. Denker, M. Stoffel, O.G. Schmidt, H. Sigg, Appl. Phys. Lett., 82, 454 (2003)
- W.-H. Chang, W.-Y. Chen, A.-T. Chou, T.-M. Hsu, P.-S. Chen, Z. Pei, L.-S. Lai. J. Appl. Phys., 93, 4999 (2003)
- V. Yam, Vinh Le Thanh, Y. Zheng, P. Boucaud, D. Bouchier. Phys. Rev. B, 63, 033 313 (2001)
- Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, К.Е. Кудрявцев, Д.В. Шенгуров, Ю.Н. Дроздов, А.Н. Яблонский, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник, N.D. Zakharov, P. Werner. ФТП, 43, 332 (2009)
- M. De Seta, G. Capellini, F. Evangelisti, C. Ferrari, L. Lazzarini, G. Salviati, R.W. Peng, S.S. Jiang. J. Appl. Rhys., 102, 043 518 (2007)
- O.G. Schmidt, K. Eberl, Y. Rau. Phys. Rev. B, 62, 16 715 (2000)
- D.N. Lobanov, A.V. Novikov, K.E. Kudryavtsev, A.N. Yablonskiy, A.V. Antonov, Yu.N. Drozdov, D.V. Shengurov, V.B. Shmagin, Z.F. Krasilnik, N.D. Zakharov, P. Werner. Physica E, 41, 935 (2009)
- Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров, В.Б. Шмагин, А.Н. Яблонский. ФТП, 42 (3), 291 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
