"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
Лобанов Д.Н.1, Новиков А.В.1, Кудрявцев К.Е.1, Шалеев М.В.1, Шенгуров Д.В.1, Красильник З.Ф.1, Захаров Н.Д.2, Werner P.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, Halle/Saale, Germany
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Представлены результаты исследований электролюминесценции многослойных p-i-n-структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001). Обнаружена немонотонная зависимость интенсивности сигнала электролюминесценции от островков, наблюдаемого при комнатной температуре, от толщины разделительного слоя Si. Наибольшая интенсивность сигнала электролюминесценции наблюдается для структур с толщиной разделительного слоя Si 15--20 нм. Обнаруженное существенное уменьшение сигнала электролюминесценции от островков в структурах с толстыми разделительными слоями Si (>20 нм) связывается с формированием в них дефектных областей. Наблюдаемое уменьшение интенсивности сигнала электролюминесценции в структурах с тонкими слоями Si связывается с уменьшением доли Ge в островках в этих структурах, которое вызвано увеличением диффузии Si в островки с ростом упругих напряжений в структуре.
  1. V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, P. Werner. Phys. Status Solidi A, 198, R4 (2003)
  2. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, С.В. Чайковский, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, М.С. Сексенбаев, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев, ФТП, 38 (10), 1265 (2004)
  3. W.-H. Chang, A.T. Chou, W.Y. Chen, H.S. Chang, T.M. Hsu, Z. Pei, P.S. Chen, S.W. Lee, L.S. Lai, S.C. Lu, M.-J. Tsai, Appl. Phys. Lett., 83, 2958 (2003)
  4. M. Stoffel, U. Denker, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 82, 3232 (2003)
  5. T. Brunhes, P. Boucaud, S. Sauvage, F. Aniel, J.-M. Lourtioz, C. Hernandez, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel, G. Faini, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett., 77, 1822 (2000)
  6. M.H. Liao, C.-Y. Yu, T.-H. Guo, C.-H. Lin, C.W. Liu. IEEE Electron. Dev. Lett., 27, 252 (2006)
  7. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский. Письма ЖЭТФ, 76, 425 (2002)
  8. U. Denker, M. Stoffel, O.G. Schmidt, H. Sigg, Appl. Phys. Lett., 82, 454 (2003)
  9. W.-H. Chang, W.-Y. Chen, A.-T. Chou, T.-M. Hsu, P.-S. Chen, Z. Pei, L.-S. Lai. J. Appl. Phys., 93, 4999 (2003)
  10. V. Yam, Vinh Le Thanh, Y. Zheng, P. Boucaud, D. Bouchier. Phys. Rev. B, 63, 033 313 (2001)
  11. Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, К.Е. Кудрявцев, Д.В. Шенгуров, Ю.Н. Дроздов, А.Н. Яблонский, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник, N.D. Zakharov, P. Werner. ФТП, 43, 332 (2009)
  12. M. De Seta, G. Capellini, F. Evangelisti, C. Ferrari, L. Lazzarini, G. Salviati, R.W. Peng, S.S. Jiang. J. Appl. Rhys., 102, 043 518 (2007)
  13. O.G. Schmidt, K. Eberl, Y. Rau. Phys. Rev. B, 62, 16 715 (2000)
  14. D.N. Lobanov, A.V. Novikov, K.E. Kudryavtsev, A.N. Yablonskiy, A.V. Antonov, Yu.N. Drozdov, D.V. Shengurov, V.B. Shmagin, Z.F. Krasilnik, N.D. Zakharov, P. Werner. Physica E, 41, 935 (2009)
  15. Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров, В.Б. Шмагин, А.Н. Яблонский. ФТП, 42 (3), 291 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.