Получены калибровочные линии для послойного анализа концентрации матричных элементов в слоях Al_xGa_1-xAs на вторично-ионном масс-спектрометре TOF.SIMS-5. Концентрация твердого раствора для набора тестовых образцов была независимо измерена методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения с учетом отклонения периода решетки и упругих модулей от закона Вегарда. Показано, что при использовании в методе вторично-ионной масс-спектрометрии распыляющих ионов Cs⁺ и анализирующего пучка Bi⁺ близкой к линейной для положительных ионов является зависимость отношения интенсивностей Y(CsAl⁺)/ Y(CsAs⁺) от x(AlAs); при регистрации отрицательных ионов близкой к линейной является зависимость Y(Al₂As^-)/ Y(As^-) от x. Эти данные позволяют нормировать профили послойного анализа в системе Al_xGa_1-xAs/GaAs. Кроме того, предложен простой вариант введения поправок на отклонение от закона Вегарда в рентгеновские данные.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.