"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором
Румянцев В.В.1, Морозов С.В.1, Кудрявцев К.Е.1, Гавриленко В.И.1, Козлов Д.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Проведен цикл исследований по изучению релаксации примесной фотопроводимости в Si:B при импульсном оптическом возбуждении узкополосным перестраиваемым источником излучения в слабых и "греющих" (10-500 В/см) электрических полях. Показано, что зависимость времени захвата носителей в зоне от приложенного электрического поля является немонотонной и в больших полях (>75 В/см) время захвата уменьшается с ростом поля, что связывается с подключением процессов релаксации с испусканием оптического фонона внутри зоны. Исследована зависимость темпов релаксации носителей от длины волны возбуждающего излучения, и обнаружено уменьшение времени захвата носителей в зоне в окрестности резонансов Брейта--Вигнера--Фано, обусловленное прямым захватом на примесь с испусканием оптического фонона.
  1. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, М.А. Одноблюдов, В.П. Синис, Е.Г. Чиркова, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 115 (1), 89 (1999)
  2. H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, V.N. Shastin. Semicond. Sci. Technol., 20, 211 (2005)
  3. Э.Э. Годик. ФТТ, 8, 1545 (1966)
  4. Н.А. Бекин, Р.Х. Жукавин, К.А. Ковалевский, С.Г. Павлов, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, В.Н. Шастин. ФТП, 39 (1), 76 (2005)
  5. Е.М. Гершензон, Г.Н. Гольцман, В.В. Мултановский, Н.Г. Птицина. ЖЭТФ, 77 (4), 1134 (1979)
  6. Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова. Письма ЖЭТФ, 51 (7), 377 (1990)
  7. Э.Э. Годик, Ю.А. Курицын, В.П. Синис. ФТП, 12, 351 (1978)
  8. С.В. Морозов, К.В.Маремьянин, И.В. Ерофеева, А.Н. Яблонский, А.В. Антонов, Л.В. Гавриленко, В.В. Румянцев, В.И. Гавриленко. ФТП, 44 (11), 1523 (2010)
  9. S.V. Morozov, K.V. Marem'yanin, A.V. Antonov, A.N. Yablonskiy, L.V. Gavrilenko, E.E. Orlova, I.V. Erofeeva, V.V. Rumyantcev, V.I. Gavrilenko. Proc. 18th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 2010) p. 75.
  10. В.Н. Абакумов, П.М. Крещук, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 264 (1978)
  11. А.П. Мельников. ФТП, 7 (1), 185 (1973)
  12. Е.М. Гершензон, Ю.П. Ладыжинский, А.П. Мельников. ФТП, 7 (6), 1100 (1973)
  13. Э.Э. Годик, Ю.А. Курицын, В.П. Синис. Письма ЖЭТФ, 14, 377 (1971)
  14. В.Ф. Банная, Е.М. Гершензон, Ю.Н. Ладыжинский, Т.Г. Фукс. ФТП, 7 (6), 1092 (1973)
  15. H.J. Hrostowski, R.H. Kaiser. J. Phys. Chem. Sol., 4, 148 (1958)
  16. G.D. Watkins, W.B. Fowler. Phys. Rev. B, 16, 4524 (1977).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.