Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 11 » Статья стр. 1424
<<<>>>
Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером
Спирин К.Е.1, Калинин К.П.1, Криштопенко С.С.1, Маремьянин К.В.1, Гавриленко В.И.1, Садофьев Ю.Г.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.
PDF версия
Измерены спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с различной толщиной разделительного барьера AlSb 0.6-1.8 нм при температуре T = 4.2 K. Из фурье-анализа осцилляций Шубникова-де Гааза определены концентрации электронов в ямах при различных длинах волн подсветки. Выявлены особенности, связанные с туннельной прозрачностью разделительного барьера толщиной 0.6 нм (2 монослоя). Выполненные самосогласованные расчеты энергетического профиля двойной квантовой ямы показали, что в области отрицательной остаточной фотопроводимости в структурах устанавливается симметричный, а в области положительной остаточной фотопроводимости - асимметричный профиль потенциала, приводящий к спиновому расщеплению Рашбы (> 2 мэВ на уровне Ферми). Показано, что введение туннельно-прозрачного разделительно барьера увеличивает расщепление Рашбы.
  1. G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 65, 5239 (1989)
  2. Yu.G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, B. Naser, J.P. Bird, S.R. Jonson, Y.-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 81, 1833 (2002)
  3. Ch. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C. Nguyen, G. Tuttle, J.H. English, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 8, S137 (1993)
  4. F.C. Wang, W.E. Zhang, C.H. Yang, M.J. Yang, B.R. Bennett. Appl. Phys. Lett., 69, 1417 (1996)
  5. С.С. Криштопенко, В.И. Гавриленко, M. Goiran. ФТП, 45, 111 (2011)
  6. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 23, 385 601 (2011)
  7. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 24, 135 601 (2012)
  8. В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, А.А. Ластовкин, К.В. Маремьянин, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТП, 44, 642 (2010)
  9. М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Ю.Г. Садофьев. ФНТ, 35, 59 (2009)
  10. M.V. Yakunin, Anne de Visser, Gianni Galistu, S.M. Podgornykh, Yu.G. Sadofyev, N.G. Shelushinina, G.I. Harus. J. Phys.: Conf. Ser., 150, 022 100 (2009)
  11. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, Д.М. Гапонова, А.В. Иконников, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, Ю.Г. Садофьев, S.R. Johnson, Y.-H. Yang. ФТП, 39, 30 (2005)
  12. С.С. Криштопенко, А.В. Малыженков, А.В. Иконников, В.И. Гавриленко. Тр. XVI Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 2012) т. 1, с. 286
  13. В.Я. Алёшкин, В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, Ю.Г. Садофьев, J.P. Bird, S.R. Johnson, Y.-H. Zhang. ФТП, 39, 71 (2005)
  14. A.V. Ikonnikov, S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, Yu.G. Sadofyev, Yu.B. Vasilyev, M. Orlita, W. Knap. J. Low Temp. Phys., 159, 197 (2010)
  15. В.Я. Алёшкин, В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТП, 42, 846 (2008)
  16. J.P. Heida, B.J. van Wees, J.J. Kuipers, T.M. Klapwijk, G. Borghs. Phys. Rev. B, 57, 11 911 (1998)
  17. M.A. Leontiadou, K.L. Litvinenko, A.M. Gilbertson, C.R. Pidgeon, W.R. Branford, L.F. Cohen, M. Fearn, T. Ashley, M.T. Emeny, B.N. Murdin. S.K. Clowes. J. Phys.: Condens. Matter, 23, 035 801 (2011)
  18. G.A. Khodaparast, R.E. Doezema, S.J. Chung, K.J. Goldammer, M.B. Santos. Phys. Rev. B, 70, 155 322 (2004)
  19. Ю.Б. Васильев, F. Gouider, G. Nachtwei, P.D. Buckle. ФТП, 44, 1559 (2010)
  20. К.Е. Спирин, А.В. Иконников, А.А. Ластовкин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов. Письма ЖЭТФ, 92, 65 (2010)
  21. А.В. Иконников, А.А. Ластовкин, К.Е. Спирин, М.С. Жолудев, В.В. Румянцев, К.В. Маремьянин, А.В. Антонов, В.Я. Алёшкин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Садофьев, N. Samal. Письма ЖЭТФ, 92, 837 (2010)
  22. A.V. Ikonnikov, M.S. Zholudev, K.E. Spirin, A.A. Lastovkin, K.V. Marem'yanin, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, O. Drachenko, M. Helm, J. Wosnitza, M. Goiran, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, F. Teppe, N. Diakonova, C. Consejo, B. Chenaud, W. Knap. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 011 (2011)
  23. M. Schultz, F. Heinrichs, U. Merkt, T. Colin, T. Skauli, S. Lovold. Semicond. Sci. Technol., 11, 1168 (1996)
  24. S.D. Ganichev, V.V. Bel'kov, L.E. Golub, E.L. Ivchenko, P. Schneider, S. Giglberger, J. Eroms, J. De Boeck, G. Borghs, W. Wegscheider, D. Weiss, W. Prettl. Phys. Rev. Lett., 92, 256 601 (2004)
  25. Ю.А. Бычков, Э.И. Рашба. Письма ЖЭТФ, 39, 66 (1984)
  26. G. Dresselhaus. Phys. Rev., 100, 580 (1955).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme