Вышедшие номера
Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером
Спирин К.Е.1, Калинин К.П.1, Криштопенко С.С.1, Маремьянин К.В.1, Гавриленко В.И.1, Садофьев Ю.Г.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Измерены спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с различной толщиной разделительного барьера AlSb 0.6-1.8 нм при температуре T = 4.2 K. Из фурье-анализа осцилляций Шубникова-де Гааза определены концентрации электронов в ямах при различных длинах волн подсветки. Выявлены особенности, связанные с туннельной прозрачностью разделительного барьера толщиной 0.6 нм (2 монослоя). Выполненные самосогласованные расчеты энергетического профиля двойной квантовой ямы показали, что в области отрицательной остаточной фотопроводимости в структурах устанавливается симметричный, а в области положительной остаточной фотопроводимости - асимметричный профиль потенциала, приводящий к спиновому расщеплению Рашбы (> 2 мэВ на уровне Ферми). Показано, что введение туннельно-прозрачного разделительно барьера увеличивает расщепление Рашбы.