"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы
Морозов С.В.1, Крыжков Д.И.1, Гавриленко В.И.1, Яблонский А.Н.1, Курицын Д.И.1, Гапонова Д.М.1, Садофьев Ю.Г.2, Звонков Б.Н.3, Вихрова О.В.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Методом спектроскопии фотолюминесценции и методами время-разрешенной фотолюминесценции проведены исследования по определению типа гетероперехода в гетероструктуре GaAs1-xSbx/GaAs при x=0.36. Для сравнения были проведены исследования гетероструктуры GaAsSb/GaAs с долей сурьмы 15%, для которой можно уверенно говорить о гетеропереходе I типа. По синему сдвигу положения линии фотолюминесценции в зависимости от мощности возбуждения и временам релаксации сигнала фотолюминесценции от квантовой ямы GaAs1-xSbx/GaAs, составившим ~11 нс, было установлено, что при содержании сурьмы 36% структуры GaAs1-xSbx/GaAs представляют собой ярко выраженный гетропереход II типа. Дополнительным свидетельством этого послужили данные, полученные для структур с содержанием сурьмы 15%, в которых не наблюдалось сдвига положения линии фотолюминесценции от мощности накачки, а времена релаксации фотолюминесценции в области сигнала от квантовой ямы составили ~1.5 нс.
  1. T. Anan, M. Yamada, K. Tokutome, S. Sugou, K. Nishi, A. Kamei. Electron. Lett., 35, 903 (1999)
  2. P. Dowd, S.R. Johnson, S.A. Feld, M. Adamcyk, S.A. Chaparro, J. Joseph, K. Hilgers, M.P. Horning, K. Shiralagi, Y.-H. Zhang. Electron. Lett., 39, 987 (2003)
  3. Seoung-Hwan Park. J. Appl. Phys., 100, 043 113 (2006)
  4. Hsin-Chieh Yu, Cheng-Tien Wan, Yan-Kuin Su et al. Proc. SPIE, 7598, 759 818 (2010)
  5. N. Hossain, S.R. Jin, S.J. Sweeney et al. Proc. SPIE, 7616, 761 608 (2010)
  6. I. Vurgaftman, J.R. Meiyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  7. R. Pesetto, G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 62, 1 (1983)
  8. R. Teissier, D. Sicault, J.C. Harmand, G. Ungaro, G. Le Roux, L. Largeau. J. Appl. Phys., 89, 5473 (2001)
  9. M. Dinu, J.E. Cunningham, F. Quochi, J. Shah. J. Appl. Phys., 94, 1506 (2003)
  10. M. Peter, K. Winkler, M. Maier, H. Herres, J. Wagner, D. Fekete, K.H. Bahem, D. Richards. Appl. Phys. Lett., 67, 2639 (1995)
  11. G. Liu, S.-L. Chuang, S.-H. Park. J. Appl. Phys., 88, 5554 (2000)
  12. S.R. Johnson, C.Z. Guo, S. Chaparro, Yu.G. Sadofyev, J. Wang, Y. Cao, N. Samal, J. Xu, S.Q. Yu, D. Ding, Y.-H. Zhang. J. Cryst. Growth, 251, 521 (2003)
  13. J.-B. Wang, S.R. Johnson, S. Chaparro, D. Ding, Y. Cao, Yu.G. Sadofyev, Y.-H. Zhang, J.A. Gupta, C.Z. Guo. Phys. Rev. B, 70, 195 339 (2004)
  14. A.D. Prins, D.J. Dunstan, J.D. Lambkin, E.P. O`Reily, A.R. Adams, R. Pritchard, W.S. Truscott, K.E. Singer. Phys. Rev. B, 47, 2191 (1993)
  15. Ю.Г. Садофьев, N. Samal, Б.А. Андреев, В.И. Гавриленко, С.В. Морозов, А.Г. Спиваков, А.Н. Яблонский. ФТП, 44 (3), 422 (2010)
  16. G. Blume, T.J.C. Hosea, S.J. Sweeney, S.R. Johnson, J.-B. Wang, Y.H. Zhang. IEE Proc. Optoelectron., 152, 110 (2005)
  17. G. Gol'tsman, A. Korneev, I. Rubtsova, I. Milostnaya, G. Chulkova, O. Minaeva, K. Smirnov, B. Voronov, W. Slysz, A. Pearlman, A. Verevkin, R. Sobolewski. Phys. Status. Solidi C, 2 (5), 1480 (2005)
  18. M.J. Stevens, R.H. Hadfield, R.E. Schwall, S.W. Nam, R. P. Mirin, J.A. Gupta. Appl. Phys. Lett., 89, 031 109 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.