"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение сечения возбуждения фотолюминесценции иона Er в кремнии в случае однородного и неоднородного оптического возбуждения
Андреев Б.А.1, Красильник З.Ф.1, Крыжков Д.И.1, Кузнецов В.П.1, Яблонский А.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Исследованы зависимости интенсивности фотолюминесценции иона эрбия в структурах Si : Er/Si в случае однородного (по поверхности образца) и неоднородного оптического возбуждения. Показано, что способ возбуждения существенно влияет на вид получаемых зависимостей. Обсуждается способ определения сечения возбуждения иона Er как при непрерывной, так и при импульсной оптической накачке. Полученное значение эффективного сечения возбуждения ионов эрбия в кремнии sigma = 5·10-14 см2 (при температуре 8 K) на порядок превышает значения, известные из литературы.
  1. O.B. Gusev, M.S. Bresler, P.E. Pak, I.N. Yassievich, M. Forcales, N.Q. Vinh, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. B, 64, 075 302 (2001)
  2. М.С. Бреслер. О.Б. Гусев, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 43, 601 (2001)
  3. П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
  4. W. Jantsch, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, M. Stepikhova, H. Preier. J. Luminesc., 80, 9 (1999)
  5. J. Palm, F. Gan, B. Zheng, J. Michel, L.C. Kimmerling. Phys. Rev. B, 54, 17 603 (1996)
  6. N.Q. Vinh, S. Minissale, H. Vrielinck, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. B. 76, 085339 (2007)
  7. O.B. Gusev, M.S. Brestler, P.E. Pak, I.N. Yassievich, M. Forcales, N.Q. Vinh, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. B, 64, 075 302 (2001)
  8. N.Q. Vinh, N.N. Ha, T. Gregorkiewicz. Proc. IEEE, 97 (7), 1269 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.