Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сопоставление различных концепций выращивания квантовых точек InAs на GaAs для лазеров диапазона 1.3 мкм
Садофьев Ю.Г.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.
Проведено сопоставление DWELL-, DUWELL- и GC-SRL-концепций выращивания квантовых точек InAs в идентичных условиях эпитаксиального роста. Лазерные структуры предназначены для работы вблизи 1.3 мкм. Предложена усовершенствованная методика определения скорости роста арсенида индия. Изучена зависимость спектрального положения и интенсивности пика фотолюминесценции от типа структуры и условий эпитаксии. Показана лазерная генерация через основные состояния размерного квантования при комнатной температуре в полосковом лазере на основе DUWELL-структуры с 10 слоями квантовых точек InAs.
- D. Bimberg, M. Grundmann, N. Ledentsov. Quatum Dot Heterostructures (John Wiley \& Sons Ltd, 1999)
- А.Е. Жуков, А.Р. Ковш. А.Ю. Егоров, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, Б.В. Воловик, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, Ю.М. Шерняков, А.В. Лунев, Ю.Г. Мусихин, Н.А. Берт, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров. ФТП, 33, 180 (1999)
- Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, В.М. Устинов, Д.А. Бедарев, Б.В. Воловик, И.Л. Крестников, И.Н. Каяндер, В.А. Однолюбов, А.А. Суворова, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 11, 612 (2000)
- G.T. Liu, A. Stintz, H. Li, K.J. Malloy, L.F. Lester. Electron. Lett., 35, 1163 (1999)
- H.C. Yu, J.S. Wang, Y.K. Su, S.J. Chang, F.I. Lai, Y.H. Chang, H.C. Kuo, C.P. Sung, H.P.D. Yang, et al. IEEE Photonics Technol. Lett., 18, 418 (2006)
- M. Guttierrez, M. Hopkinson, H.Y. Liu, M. Herrera, D. Gonzalez, R. Garcia. J. Cryst. Growth, 278, 151 (2005)
- C.N. Ngo, S.F. Yoon, D.R. Lim, V. Wong, S.J. Chua. Appl. Phys. Lett., 93, 041 912 (2008)
- T. Amano, T. Sugaya, S. Yamauchi, K. Komori. J. Cryst. Growth, 295, 162 (2006)
- T. Amano, T. Sugaya, K. Komori. Jpn. J. Appl. Phys., 14, L432 (2005)
- C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
- V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (Pittsburg, 2000) v. 583, p. 23
- Н.А. Черкашин, М.В. Максимов, А.Г. Макаров, В.А. Щукин, В.М. Устинов, Н.В. Луковская, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цирлин, Н.А. Берт, Ж.И. Алферов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37, 890 (2003)
- T.V. Torchynska, E.V. Lozada, J.L.C. Espinola. J. Vac. Sci. Technol. B, 27, 919 (2009)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
