Вышедшие номера
Изменения спектра пикосекундного стимулированного излучения GaAs с сопутствующими им признаками электрон-фононного взаимодействия
Агеева Н.Н.1, Броневой И.Л.1, Забегаев Д.Н.1, Кривоносов А.Н.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

При фиксированной энергии пикосекундного импульса накачки Wex, вызывающей собственное стимулированное излучение в GaAs, обнаружено немонотонное изменение ширины спектра излучения deltahomegas при изменении энергии фотона накачки homegaex. При немонотонном изменении максимальная ширина спектров оказалась близкой к параметру Delta, определяемому энергией продольного оптического (LO) фонона и массами электрона и тяжелой дырки. По мере усиления немонотонности зависимости deltahomegas=f(homegaex) проявлялась модуляция этой зависимости и зависимости амплитуды спектра от homegaex. Модуляция имела признаки связи с электрон-LO-фононным взаимодействием. Наблюдавшаяся эволюция модуляции не противоречила публиковавшимся предположениям о развитии и разрушении экранирования электрон-LO-фононного взаимодействия для плотной электронно-дырочной плазмы. Уровень потерь излучения в образце влиял на модуляцию и немонотонность.